产品参考图片
- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
- 丰富的东芝半导体公司产品，东芝半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
TPN2R203NC,L1Q 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPN2R203NC,L1Q
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：U-MOSVIII
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 500μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2230pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），42W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
- TPN2R203NC,L1Q优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
