- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DSOP Advance
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
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TPWR8004PL,L1Q 技术参数详情:
- 制造商产品型号:TPWR8004PL,L1Q
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:U-MOSIX-H
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):150A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):0.8 毫欧 @ 50A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):103nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9600pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta),170W(Tc)
- 工作温度:175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DSOP Advance
- TPWR8004PL,L1Q优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。