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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：-
- 技术参数：TRANSISTOR PNP BIPO TO126N
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TTA006B,Q(S 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TTA006B,Q(S
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANSISTOR PNP BIPO TO126N
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：-
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：-
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-
- 电流-集电极截止（最大值）：-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：-
- 功率-最大值：-
- 频率-跃迁：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 封装：-
- TTA006B,Q(S优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
