- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个,封装:-
- 技术参数:TRANSISTOR NPN BIPO TO126N
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TTC011B,Q(S 技术参数详情:
- 制造商产品型号:TTC011B,Q(S
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:TRANSISTOR NPN BIPO TO126N
- 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 产品系列:*
- 零件状态:有源
- 晶体管类型:-
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):-
- 电流-集电极截止(最大值):-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 功率-最大值:-
- 频率-跃迁:-
- 工作温度:-
- 安装类型:-
- 封装:-
- TTC011B,Q(S优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。