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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 技术参数：TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
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ULN2803AFWG,C,EL 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ULN2803AFWG,C,EL
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：8 NPN 达林顿
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：1.6V @ 500μA，350mA
- 电流-集电极截止（最大值）：-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：1000 @ 350mA，2V
- 功率-最大值：1.31W
- 频率-跃迁：-
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- ULN2803AFWG,C,EL优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
