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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOP Advance（5x5）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
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XPH6R30ANB,L1XHQ 技术参数详情：
- 制造商产品型号：XPH6R30ANB,L1XHQ
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：U-MOSVIII-H
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 500μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：52nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3240pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：960mW（Ta），132W（Tc）
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SOP Advance（5x5）
- XPH6R30ANB,L1XHQ优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
