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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DSOP Advance
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
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XPW4R10ANB,L1XHQ 技术参数详情：
- 制造商产品型号：XPW4R10ANB,L1XHQ
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 1.5A，5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 5V
- Vgs（最大值）：+6V，-4V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：118pF @ 7.5V
- FET功能：标准
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DSOP Advance
- XPW4R10ANB,L1XHQ优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
