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- 制造厂商：Transphorm
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247-3
- 技术参数：GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
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TP65H035WSQA 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TP65H035WSQA
- 制造商：Transphorm
- 描述：GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：47.2A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 32A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：187W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247-3
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