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- 制造厂商：Transphorm
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
- 技术参数：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
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TPD3215M 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPD3215M
- 制造商：Transphorm
- 描述：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 30A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2260pF @ 100V
- 功率-最大值：470W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：模块
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