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- 制造厂商：Transphorm
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：4-PQFN（8x8）
- 技术参数：GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
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TPH3202LD 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPH3202LD
- 制造商：Transphorm
- 描述：GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 5.5A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±18V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：65W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：4-PQFN（8x8）
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