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- 制造厂商：Transphorm
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-PQFN（8x8）
- 技术参数：GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
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TPH3208LDG 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPH3208LDG
- 制造商：Transphorm
- 描述：GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 13A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 300μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 8V
- Vgs（最大值）：±18V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：3-PQFN（8x8）
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