- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-39
- 技术参数:MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
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2N6661JTVP02 技术参数详情:
- 制造商产品型号:2N6661JTVP02
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):90V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):860mA(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):725mW(Ta),6.25W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-39
- 2N6661JTVP02优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。