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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：二极管 - 整流器 - 单，封装：DO-213AB，MELF（玻璃）
- 技术参数：DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
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BYM11-800HE3_A/I 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BYM11-800HE3_A/I
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
- 系列：二极管 - 整流器 - 单
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101, Superectifier?
- 零件状态：有源
- 二极管类型：标准
- 电压-DC反向(Vr)（最大值）：800V
- 电流-平均整流(Io)：1A
- 不同If时电压-正向(Vf)：1.3V @ 1A
- 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间(trr)：500ns
- 不同Vr时电流-反向泄漏：5μA @ 800V
- 不同?Vr、F时电容：15pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：DO-213AB，MELF（玻璃）
- 供应商器件封装：DO-213AB
- BYM11-800HE3_A/I优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
