- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
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SI3585DV-T1-E3 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SI3585DV-T1-E3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:TrenchFET?
- 零件状态:停产
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):2A,1.5A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA(最小)
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
- 功率-最大值:830mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- SI3585DV-T1-E3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。