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  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
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SI4913DY-T1-E3 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SI4913DY-T1-E3
  • 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:TrenchFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7.1A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 500μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:1.1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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