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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? CHIPFET? 双
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
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SI5517DU-T1-E3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI5517DU-T1-E3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 4.4A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 10V
- 功率-最大值：8.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：PowerPAK? CHIPFET? 双
- SI5517DU-T1-E3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
