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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
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SI6562DQ-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI6562DQ-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250μA（最小）
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1W
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- SI6562DQ-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
