产品参考图片
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? SO-8 双
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
- 丰富的Vishay公司产品，Vishay芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
SI7540DP-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI7540DP-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.6A，5.7A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：PowerPAK? SO-8 双
- SI7540DP-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
