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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
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SIA419DJ-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SIA419DJ-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：TrenchFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 5.9A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单
- SIA419DJ-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
