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  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PowerPAK? SC-70-6 单
  • 技术参数:MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
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SIAA00DJ-T1-GE3 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SIAA00DJ-T1-GE3
  • 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:TrenchFET? Gen IV
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20.1A(Ta),40A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.6 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+16V,-12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1090pF @ 12.5V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19.2W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PowerPAK? SC-70-6 单
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