产品参考图片
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK（TO-263）
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
- 丰富的Vishay公司产品，Vishay芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
SIHB065N60E-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SIHB065N60E-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：E
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 16A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：74nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2700pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK（TO-263）
- SIHB065N60E-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
