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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
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SISA26DN-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SISA26DN-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.65 毫欧 @ 15A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+16V，-12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2247pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：39W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
- SISA26DN-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
