- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerWDFN
- 技术参数:DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
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SIZ270DT-T1-GE3 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SIZ270DT-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:TrenchFET? Gen IV
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):7.1A(Ta),19.5A(Tc),6.9A(Ta),19.1A(Tc)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):37.7 欧姆 @ 7A,10V,39.4 欧姆 @ 7A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):860pF @ 50V,845pF @ 50V
- 功率-最大值:4.3W(Ta),33W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerWDFN
- SIZ270DT-T1-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。