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  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerWDFN
  • 技术参数:DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SIZ340BDT-T1-GE3 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SIZ340BDT-T1-GE3
  • 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
  • 描述:DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):16.9A(Ta),36A(Tc),25.3A(Ta),69.3A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.56毫欧 @ 10A,10V,4.31毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.6nC @ 10V,23.5nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 15V,1065pF @ 15V
  • 功率-最大值:3.7W(Ta),16.7W(Tc),4.2W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerWDFN
  • SIZ340BDT-T1-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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