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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-PowerPair?
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
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SIZ700DT-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SIZ700DT-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.6 毫欧 @ 15A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 10V
- 功率-最大值：2.36W，2.8W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-PowerPair?
- SIZ700DT-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
