- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerWDFN
- 技术参数:MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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SIZ980DT-T1-GE3 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SIZ980DT-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:TrenchFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):20A (Tc),60A (Tc)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.7 毫欧 @ 15A,10V,1.6 毫欧 @ 19A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.1nC @ 4.5V,35nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):930pF @ 15V,4600pF @ 15V
- 功率-最大值:20W,66W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerWDFN
- SIZ980DT-T1-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。