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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerPair?
- 技术参数：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SIZ998BDT-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SIZ998BDT-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V，46.7nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 15V，2130pF @ 15V
- 功率-最大值：3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerPair?
- SIZ998BDT-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
