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  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerPair?
  • 技术参数:DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SIZ998BDT-T1-GE3 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SIZ998BDT-T1-GE3
  • 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
  • 描述:DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:TrenchFET? Gen IV
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):23.7A(Ta),54.8A(Tc),36.2A(Ta),94.6A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.39 欧姆 @ 15A,10V,2.4 欧姆 @ 19A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V,46.7nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):790pF @ 15V,2130pF @ 15V
  • 功率-最大值:3.8W(Ta),20W(Tc),4.8W(Ta),32.9W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerPair?
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