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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-PowerPair?
- 技术参数:MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
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SIZF360DT-T1-GE3 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SIZF360DT-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:TrenchFET? Gen IV
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):23A(Ta),83A(Tc),34A(Ta),143A(Tc)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 10A,10V,1.9 毫欧 @ 10A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC,62nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1100pF,3150pF @ 15V
- 功率-最大值:3.8W(Ta),52W(Tc),4.3W(Ta),78W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-PowerPair?
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