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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
- 技术参数：MOSFET DUAL N-CHAN 30V
- 丰富的Vishay公司产品，Vishay芯片采购平台
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SIZF906ADT-T1-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SIZF906ADT-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 30V
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V，200nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
- 功率-最大值：4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerWDFN
- SIZF906ADT-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
