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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：单端场效应管，TO-236
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
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SQ2310ES-T1-GE3 技术参数详情：
- Vishay威世半导体原厂型号：SQ2310ES-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
- 系列：TrenchFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：485pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：TO-236
- SQ2310ES-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
