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  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:PowerPAK? SO-8 双
  • 技术参数:MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
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SQJ208EP-T1_GE3 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SQJ208EP-T1_GE3
  • 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A (Tc),60A (Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.4 毫欧 @ 6A,10V,3.9 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA,2.4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):33nC,75nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1700pF,3900pF @ 25V
  • 功率-最大值:27W(Tc),48W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:PowerPAK? SO-8 双
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