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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PowerPAK? SO-8
- 技术参数:MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
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SQJ411EP-T1_GE3 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SQJ411EP-T1_GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.8 毫欧 @ 15A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):150nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9100pF @ 6V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):68W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:PowerPAK? SO-8
- SQJ411EP-T1_GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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