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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:单端场效应管,PowerPAK
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
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SQJ412EP-T1-GE3 技术参数详情:
- Vishay威世半导体原厂型号:SQJ412EP-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
- 系列:TrenchFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 10.3A, 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5950pF @ 20V
- 功率 - 最大值:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK SO-8
- 供应商器件封装:PowerPAK SO-8
- SQJ412EP-T1-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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