产品参考图片
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：单端场效应管，PowerPAK
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
- 丰富的Vishay公司产品，Vishay芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
SQJ858AEP-T1-GE3 技术参数详情：
- Vishay威世半导体原厂型号：SQJ858AEP-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
- 系列：TrenchFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：58A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.3 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2450pF @ 20V
- 功率 - 最大值：48W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK SO-8
- 供应商器件封装：PowerPAK SO-8
- SQJ858AEP-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
