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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:场效应管阵列,PowerPAK
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
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SQJ940EP-T1-GE3 技术参数详情:
- Vishay威世半导体原厂型号:SQJ940EP-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
- 系列:TrenchFET
- FET 类型:2 个 N 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A,18A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 20V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):896pF @ 20V
- 功率 - 最大值:48W, 43W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK SO-8 双
- 供应商器件封装:PowerPAK SO-8 Dual Asymmetric
- SQJ940EP-T1-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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