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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:场效应管阵列,PowerPAK
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
- 丰富的Vishay公司产品,Vishay芯片采购平台
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SQJ951EP-T1-GE3 技术参数详情:
- Vishay威世半导体原厂型号:SQJ951EP-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
- 系列:自动, AEC-Q101, TrenchFET
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17 mOhm @ 7.5A, 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1680pF @ 10V
- 功率 - 最大值:56W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK SO-8 双
- 供应商器件封装:PowerPAK SO-8 Dual
- SQJ951EP-T1-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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