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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：场效应管阵列，PowerPAK
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
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SQJ960EP-T1-GE3 技术参数详情：
- Vishay威世半导体原厂型号：SQJ960EP-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- 系列：TrenchFET
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 5.3A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：735pF @ 25V
- 功率 - 最大值：34W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK SO-8 Dual
- SQJ960EP-T1-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
