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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? 8 x 8 双
- 技术参数：MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
- 丰富的Vishay公司产品，Vishay芯片采购平台
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SQJQ900E-T1_GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SQJQ900E-T1_GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：120nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5900pF @ 20V
- 功率-最大值：75W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：PowerPAK? 8 x 8 双
- SQJQ900E-T1_GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
