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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:单端场效应管,TO-263
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
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SQM120N04-1M7L-GE3 技术参数详情:
- Vishay威世半导体原厂型号:SQM120N04-1M7L-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- 系列:TrenchFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):285nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14606pF @ 20V
- 功率 - 最大值:375W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263
- SQM120N04-1M7L-GE3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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