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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：-
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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VQ1001P-2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：VQ1001P-2
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：4 个 N 通道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：830mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 200mA，5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：110pF @ 15V
- 功率-最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：-
- VQ1001P-2优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
