- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-220-2
- 技术参数:SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
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VS-C08ET07T-M3 技术参数详情:
- 制造商产品型号:VS-C08ET07T-M3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:有源
- 二极管类型:肖特基 - 单
- 电压-峰值反向(最大值):650V
- 电流-最大值:8A
- 不同?Vr、F时电容:355pF @ 1V,1MHz
- 不同?If、F时电阻:-
- 功率耗散(最大值):54W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 封装:TO-220-2
- VS-C08ET07T-M3优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。