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- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:双 INT-A-PAK(3 + 4)
- 技术参数:IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
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VS-GB200TH120N 技术参数详情:
- 制造商产品型号:VS-GB200TH120N
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
- 系列:晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态:停产
- IGBT类型:-
- 配置:半桥
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):360A
- 功率-最大值:1136W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,200A
- 电流-集电极截止(最大值):5mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies):14.9nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装:双 INT-A-PAK(3 + 4)
- VS-GB200TH120N优势代理货源,国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
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