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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：FET - 单，TO-220-3
- 技术参数：MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
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2SJ655 技术参数详情：
- 制造商产品型号: 2SJ655
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
- 漏源极电压（Vdss）: 100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 136 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 41nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2090pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 2W
- 安装类型: 通孔
- 产品封装: TO-220-3 整包
- 供应商器件封装: TO-220ML
- 2SJ655优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
