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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：FET - 单，3-SMD
- 技术参数：MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
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2SK4181-TL-E 技术参数详情：
- 制造商产品型号: 2SK4181-TL-E
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 525V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7.5A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 920 毫欧 @ 3.7A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 24nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 600pF @ 30V
- 功率 - 最大值: 70W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装: ZP
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