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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：JFET结点场效应，3-SIP
- 技术参数：JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA
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2SK772E-AC 技术参数详情：
- 制造商产品型号: 2SK772E-AC
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 功能总体简述: JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA
- 系列: -
- FET 类型: N 沟道
- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）: -
- 漏源极电压（Vdss）: 40V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 2.5mA @ 10V
- 漏极电流（Id） - 最大值: 20mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: -
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 9pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）: -
- 安装类型: 通孔
- 产品封装: 3-SIP
- 供应商器件封装: 3-SPA
- 功率 - 最大值: 300mW
- 2SK772E-AC优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
