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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：FET - 阵列，SOT-23-6
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6
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CPH6616-TL-E 技术参数详情：
- 制造商产品型号: CPH6616-TL-E
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6
- 系列: -
- FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.5A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 105 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 5.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 187pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 900mW
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装: 6-CPH
- CPH6616-TL-E优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
