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- 制造厂商:安森美
- 类别封装:FET - 单,4-UFDFN
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4
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EC4406C-TL-H 技术参数详情:
- 制造商产品型号: EC4406C-TL-H
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能: 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
- 漏源极电压(Vdss): 60V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 200mA(Ta)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.9 欧姆 @ 100mA,4V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1nC @ 4V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 26pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 150mW
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 4-UFDFN
- 供应商器件封装: 4-ECSP1008
- EC4406C-TL-H优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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