- 制造厂商:安森美
- 类别封装:FET - 阵列,8-SMD
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
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ECH8620-TL-E 技术参数详情:
- 制造商产品型号: ECH8620-TL-E
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
- 系列: -
- FET 类型: N 和 P 沟道
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss): 100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A,1.5A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 260 毫欧 @ 1A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 13.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 650pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 1.3W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装: 8-ECH
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