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  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:FET - 阵列,8-SMD
  • 技术参数:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
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ECH8620-TL-E 技术参数详情:
  • 制造商产品型号: ECH8620-TL-E
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
  • 系列: -
  • FET 类型: N 和 P 沟道
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A,1.5A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 260 毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 13.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 650pF @ 20V
  • 功率 - 最大值: 1.3W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 8-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装: 8-ECH
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