- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-XFBGA,FCBGA
- 技术参数:MOSFET 2N-CH EFCP
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EFC6602R-TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:EFC6602R-TR
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2N-CH EFCP
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
- 漏源电压(Vdss):-
- 25°C时电流-连续漏极(Id):-
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):55nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
- 功率-最大值:2W
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-XFBGA,FCBGA
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