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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：-
- 技术参数：IGBT MODULE 650V 33A 135W
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FAM65HR51DS2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FAM65HR51DS2
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 配置：半桥逆变器
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：33A
- 功率-最大值：135W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：-
- 电流-集电极截止（最大值）：-
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：4.86nF @ 400V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：-
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